IDT71598L25DBRT,IDT71598L25DBRT pdf中文资料,IDT71598L25DBRT引脚图,IDT71598L25DBRT电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IDT71598L25DBRT

IDT71598L25DBRT: 产品描述Cache SRAM, 16KX4, 25ns; 产品类别存储存储; 文件大小35KB，共1页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT71598L25DBRT概述

Cache SRAM, 16KX4, 25ns

IDT71598L25DBRT规格参数

参数名称	属性值
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	25 ns
其他特性	BATTERY BACKUP OPERATION
JESD-609代码	e0
内存密度	65536 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	4
功能数量	1
字数	16384 words
字数代码	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	16KX4
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	TIN LEAD
Base Number Matches	1

IDT71598L25DBRT相似产品对比

	IDT71598L25DBRT	IDT71598L25DRT	IDT71598L20DRT	IDT71598S35DBRT	IDT71598L15DRT	IDT71598S25DBRT	IDT71598S20DBRT	IDT71598L35DBRT
描述	Cache SRAM, 16KX4, 25ns	Cache SRAM, 16KX4, 25ns	Cache SRAM, 16KX4, 20ns	Cache SRAM, 16KX4, 35ns	Cache SRAM, 16KX4, 15ns	Cache SRAM, 16KX4, 25ns	Cache SRAM, 16KX4, 20ns	Cache SRAM, 16KX4, 35ns
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C	EAR99	EAR99	3A001.A.2.C	EAR99	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C
最长访问时间	25 ns	25 ns	20 ns	35 ns	15 ns	25 ns	20 ns	35 ns
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
字数	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words
字数代码	16000	16000	16000	16000	16000	16000	16000	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
组织	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD
其他特性	BATTERY BACKUP OPERATION	BATTERY BACKUP OPERATION	BATTERY BACKUP OPERATION	-	BATTERY BACKUP OPERATION	-	-	BATTERY BACKUP OPERATION
最高工作温度	125 °C	-	-	125 °C	-	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-	-	-55 °C	-	-55 °C	-55 °C	-55 °C
温度等级	MILITARY	-	-	MILITARY	-	MILITARY	MILITARY	MILITARY
Base Number Matches	1	1	1	1	1	-	-	-

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