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RD3.3ESAB2

产品描述Zener Diode,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小61KB,共4页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准  
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RD3.3ESAB2概述

Zener Diode,

RD3.3ESAB2规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompliant
二极管类型ZENER DIODE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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TH97/10561QM
TW00/17276EM
IATF 0060636
SGS TH07/1033
RD2.0ES SERIES
V
Z
: 2.0 - 37.5Volts
P
D
: 400 mW
ZENER DIODES
DO - 34 Glass
0.078 (2.0 )max.
1.00 (25.4)
min.
FEATURES :
* High reliability
* Low leakage current
* Suitable for 5mm - pitch high speed automatical
insertion
* Pb / RoHS Free
Cathode
Mark
0.118 (3.0)
max.
0.017 (0.43)max.
1.00 (25.4)
min.
MECHANICAL DATA
Case:
DO-34 Glass Case
Weight:
approx. 0.093g
Dimensions in inches and ( millimeters )
ORDERING INFORMATION
RD2.0ES to RD39ES with suffix "AB1", "AB2", or "AB3"
should be applied for oders for suffix "AB"
MAXIMUM RATINGS
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified
Parameter
Forward Rectifier Current
Power Dissipation
Surge Reverse Power (t = 10μs)
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Symbol
I
F
P
D
P
RSM
Tj
Tstg
Value
150
400
100
175
- 65 to + 175
Unit
mA
mW
W
°C
°C
Fig. 1 POWER DISSIPATION vs. AMBIENT TEMPERATURE
500
P
D
, MAXIMUM DISSIPATION
(MILLIWATTS)
400
300
200
100
0
0
20
40 60 80 100 120 140 160 180 200
Ta
,
AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
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Rev. 03 : December 3, 2008

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