M28W640FCB85ZB6,M28W640FCB85ZB6 pdf中文资料,M28W640FCB85ZB6引脚图,M28W640FCB85ZB6电路-Datasheet-电子工程世界

M28W640FCB85ZB6: 产品描述4MX16 FLASH 3V PROM, 85ns, PBGA48, 6.39 X 10.50 MM, 0.75 PITCH, TFBGA-48; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共55页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/; 标准

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M28W640FCB85ZB6概述

4MX16 FLASH 3V PROM, 85ns, PBGA48, 6.39 X 10.50 MM, 0.75 PITCH, TFBGA-48

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA48,6X8,30
针数	48
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	85 ns
其他特性	BOTTOM BOOT BLOCK
启动块	BOTTOM
命令用户界面	YES
通用闪存接口	YES
数据轮询	NO
JESD-30 代码	R-PBGA-B48
JESD-609代码	e1
长度	10.5 mm
内存密度	67108864 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
部门数/规模	8,127
端子数量	48
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	4MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA48,6X8,30
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	3/3.3 V
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
部门规模	4K,32K
最大待机电流	0.000005 A
最大压摆率	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL
端子节距	0.75 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
切换位	NO
类型	NOR TYPE
宽度	6.39 mm
Base Number Matches	1

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