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RT3N66M

产品描述Composite Transistor With Resistor
文件大小48KB,共3页
制造商Isahaya
官网地址http://www.idc-com.co.jp/
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RT3N66M概述

Composite Transistor With Resistor

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PRELIMINARY
RT3N66M
Composite Transistor With Resistor
For Switching Application
Silicon Epitaxial Type
DESCRIPTION
RT3N66M
is
a
composite
transistor
built
with
RT1N430 chip and RT1N430 chip in SC-88 package.
OUTLINE DRAWING
2.1
1.25
0.65
0.2
Unit:mm
FEATURE
Silicon epitaxial type
Each transistor elements are independent.
Mini package for easy mounting
2.0
APPLICATION
Inverted circuit, switching circuit,
interface circuit, driver circuit
0.65
0.13
0∼0.1
RTr1
R1
R2
RTr2
R1
TERMINAL
CONNECTOR
①:EMITTER1
②:BASE1
③:COLLECTOR2
④:EMITTER2
⑤:BASE2
⑥:COLLECTOR1
JEITA:SC-88
0.9
0.65
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)
SYMBOL
V
CBO
V
EBO
V
CEO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
stg
PARAMETER
Collector to Base voltage
Emitter to Base voltage
Collector to Emitter voltage
Collector current
Peak Collector current
Collector dissipation(Total, Ta=25℃)
Junction temperature
Storage temperature
RATING
50
6
50
100
200
150
+150
-55∼+150
UNIT
V
V
V
mA
mA
mW
MARKING
⑥⑤④
.
N6 6
①②③
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