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RT2N21M

产品描述COMPOSITE TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR SWITCHING APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE
文件大小46KB,共3页
制造商Isahaya
官网地址http://www.idc-com.co.jp/
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RT2N21M概述

COMPOSITE TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR SWITCHING APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE

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RT2N21M
COMPOSITE TRANSISTOR WITH RESISTOR
FOR SWITCHING APPLICATION
SILICON NPN EPITAXIAL TYPE
DESCRIPTION
RT2N21M is a composite transistor with built-in bias resistor
OUTLINE DRAWING
2.1
1.25
Unit:mm
●Built-in bias resistor ( R1=10 KΩ)
●Mini package for easy mounting
2.0
0.65
0.65
APPLICATION
Inverted circuit , switching circuit , interface circuit , driver circuit
0.9
0.65
RTr1
RTr2
0∼0.1
R1
R1
TERMINAL CONNECTOR
:BASE1
:EMITTER
(COMMON
:BASE2
:COLLECTOR2
:COLLECTOR1
EIAJ
:−
JEDEC
:−
MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CBO
V
EBO
V
CEO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
stg
(Ta=25℃ (
)RTr1、RTr2
Parameter
Ratings
50
6
50
100
200
150
+150
-55∼+150
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
MARKING
Collector to Base voltage
Emitter to Base voltage
Collector to Emitter voltage
Collector current
Peak Collector current
Collector dissipation
(Total
Ta=25℃
Junction temperature
Storage temperature
N
7
② ③
ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION
0.13
0.2
FEATURE
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