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MS8512FKP-12

产品描述SRAM Module, 512KX8, 120ns, CMOS
产品类别存储    存储   
文件大小230KB,共6页
制造商APTA Group Inc
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MS8512FKP-12概述

SRAM Module, 512KX8, 120ns, CMOS

MS8512FKP-12规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明DIP, DIP32,.6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间120 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-T32
JESD-609代码e0
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIP
封装等效代码DIP32,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.0001 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.081 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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