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RT1N241M

产品描述Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小65KB,共3页
制造商Isahaya
官网地址http://www.idc-com.co.jp/
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RT1N241M概述

Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type

RT1N241M规格参数

参数名称属性值
厂商名称Isahaya
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)50
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值0.2 W
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
VCEsat-Max0.3 V

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R 1 2 1 SERIES
TN4X
Transistor
Transistor With Resistor
For Switching Application
Silicon NPN Epitaxial Type
DESCRIPTION
RT1N241X is a one chip transistor
with built-in bias resistor,PNP type is RT1P241X.
RT1N241U
1.6
OUTLINE DRAWING       UNIT:m
    
m
RT1N241C
2.5
0.4
0.5
1.5
0.5
FEATURE
Built-in bias resistor (R1=22kΩ,R2=22kΩ).
0.5
0.4
0.8
0.3
2.9
1.90
0.95 0.95
1.6
1.0
APPLICATION
Inverted circuit,switching circuit,interface circuit,
driver circuit.
0.7
0.15
1.1
0.55
0.8
0.16
0∼0.1
R1
B
(IN)
R2
C
(OUT)
JEITA
:−
JEDEC
:−
Terminal Connector
:Base
:Emitter
:Collector
RT1N241M
2.1
0.425
1.25
0.425
  
   JEITA
:SC-59
JEDEC
:Similar to TO-236
Terminal Connector
:Base
:Emitter
:Collector
RT1N241S
4.0
E
(GND)
2.0
1.3
0.65 0.65
0.3
3.0
0∼0.1
Equivalent circuit
0.5
14.0
1.0
1.0
0.1
0.45
1.27 1.27
0.9
0.15
0.4
2.5
0.7
JEITA
:SC-70
JEDEC
:−
Terminal Connector
:Base
:Emitter
:Collector
0∼0.1
JEITA
:−
JEDEC
:−
Terminal Connector
:Emitter
:Collector
:Base
ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION
0.4

RT1N241M相似产品对比

RT1N241M RT1N241U RT1N241X
描述 Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type
厂商名称 Isahaya Isahaya -
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 -
Reach Compliance Code unknow unknow -
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A -
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V -
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR -
最小直流电流增益 (hFE) 50 50 -
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 -
元件数量 1 1 -
端子数量 3 3 -
最高工作温度 150 °C 150 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
极性/信道类型 NPN NPN -
功耗环境最大值 0.2 W 0.15 W -
最大功率耗散 (Abs) 0.2 W 0.15 W -
表面贴装 YES YES -
端子形式 GULL WING GULL WING -
端子位置 DUAL DUAL -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING -
晶体管元件材料 SILICON SILICON -
标称过渡频率 (fT) 200 MHz 200 MHz -
VCEsat-Max 0.3 V 0.3 V -

 
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