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IDT71256S55L32B8: 产品描述Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, CQCC32, LCC-32; 产品类别存储存储; 文件大小162KB，共16页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT71256S55L32B8概述

Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, CQCC32, LCC-32

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	QFJ
包装说明	LCC-32
针数	32
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	55 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-CQCC-N32
JESD-609代码	e0
长度	13.97 mm
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	32
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	32KX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	QCCN
封装等效代码	LCC32,.45X.55
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883 Class B
座面最大高度	3.048 mm
最大待机电流	0.02 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	11.43 mm
Base Number Matches	1

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