Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 雪崩能效等级（Eas） | 260 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 13 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 13 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.011 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | MS-012AA |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 2.5 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 58 A |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| IRF7413PBF-1 | IRF7413TRPBF-1 | |
|---|---|---|
| 描述 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-Oxide Semiconductor FET, |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 13 A | 13 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码 | e3 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 2.5 W | 2.5 W |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 |
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