IRHNA4Z60PBF,IRHNA4Z60PBF pdf中文资料,IRHNA4Z60PBF引脚图,IRHNA4Z60PBF电路-Datasheet-电子工程世界

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IRHNA4Z60PBF: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD-2, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小124KB，共8页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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IRHNA4Z60PBF概述

Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD-2, 3 PIN

IRHNA4Z60PBF规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）	500 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V
最大漏极电流 (ID)	75 A
最大漏源导通电阻	0.009 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-CBCC-N3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	300 A
表面贴装	YES
端子形式	NO LEAD
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

IRHNA4Z60PBF相似产品对比

	IRHNA4Z60PBF	IRHNA3Z60PBF	IRHNA4Z60	IRHNA3Z60	IRHNA7Z60	IRHNA8Z60
描述	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD-2, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD-2, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD-2, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD-2, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD-2, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD-2, 3 PIN
是否Rohs认证	符合	符合	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	HERMETIC SEALED, SMD-2, 3 PIN	HERMETIC SEALED, SMD-2, 3 PIN	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	not_compliant	not_compliant
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）	500 mJ	500 mJ	500 mJ	500 mJ	500 mJ	500 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V	30 V	30 V	30 V	30 V	30 V
最大漏极电流 (ID)	75 A	75 A	75 A	75 A	75 A	75 A
最大漏源导通电阻	0.009 Ω	0.009 Ω	0.009 Ω	0.009 Ω	0.009 Ω	0.009 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-CBCC-N3	R-CBCC-N3	R-CBCC-N3	R-CBCC-N3	R-CBCC-N3	R-CBCC-N3
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	300 A	300 A	300 A	300 A	300 A	300 A
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
最高工作温度	150 °C	150 °C	-	-	150 °C	150 °C
ECCN代码	-	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
JESD-609代码	-	-	e0	e0	e0	e0
认证状态	-	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
端子面层	-	-	TIN LEAD	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)

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