MR851: 产品描述3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小129KB，共4页; 制造商TAITRON Components; 官网地址http://www.taitroncomponents.com/; 标准

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MR851概述

3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

MR851规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	TAITRON Components
Reach Compliance Code	unknow
应用	EFFICIENCY
最小击穿电压	100 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.3 V
JEDEC-95代码	DO-201AD
JESD-30 代码	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流	200 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	2
最高工作温度	-150 °C
最低工作温度	-50 °C
最大输出电流	3 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
最大重复峰值反向电压	100 V
最大反向电流	10 µA
最大反向恢复时间	0.15 µs
反向测试电压	100 V
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL

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3.0A Fast Recovery Rectifier

MF850

–

MR858

3.0A Fast Recovery Rectifier

Features

•

Fast switching for high efficiency

•

High surge current capability

•

High temperature soldering guaranteed 250°C/10 seconds

/.0375" (9.5mm) lead length, 5lbs (2.3kg) tension

•

RoHS Compliance

DO-201AD

Mechanical Data

Case:

Epoxy:

Terminals:

Polarity:

Weight:

JEDEC DO-201AD, molded plastic body

Plastic package has UL flammability classification 94V-0

Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026

Color band denotes cathode end

1.1 grams

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

=25ºC unless noted otherwise)

Symbol

Description

Maximum Repetitive

Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

Maximum DC Blocking

Voltage

Maximum Average

Forward Rectified

Current

Peak Forward Surge

Current

MR850

MR851

100

MR852

200

140

200

3.0

MR854

400

280

400

MR856

600

420

600

MR858

800

560

800

Unit

Conditions

RRM

RMS

F(AV)

Ta=90 ˚C

8.3ms single half

sine-wave

superimposed on

rated load (JEDEC

method)

FSM

200

TAITRON COMPONENTS INCORPORATED

www.taitroncomponents.com

Tel:

Fax:

(800)-TAITRON (800)-824-8766

(800)-TAITFAX (800)-824-8329

(661)-257-6060

(661)-257-6415

Rev. A/DX 2007-06-04

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MR851相似产品对比

	MR851	MR850	MR852	MR854
描述	3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE	3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
厂商名称	TAITRON Components	TAITRON Components	TAITRON Components	TAITRON Components
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow
应用	EFFICIENCY	EFFICIENCY	EFFICIENCY	EFFICIENCY
最小击穿电压	100 V	50 V	200 V	400 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.3 V	1.3 V	1.3 V	1.3 V
JEDEC-95代码	DO-201AD	DO-201AD	DO-201AD	DO-201AD
JESD-30 代码	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流	200 A	200 A	200 A	200 A
元件数量	1	1	1	1
相数	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2
最高工作温度	-150 °C	-150 °C	-150 °C	-150 °C
最低工作温度	-50 °C	-50 °C	-50 °C	-50 °C
最大输出电流	3 A	3 A	3 A	3 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM
最大重复峰值反向电压	100 V	50 V	200 V	400 V
最大反向电流	10 µA	10 µA	10 µA	10 µA
最大反向恢复时间	0.15 µs	0.15 µs	0.15 µs	0.15 µs
反向测试电压	100 V	50 V	200 V	400 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL

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器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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