テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FF200R12KE4P
62mmC-Seriesモジュールトレンチ/フィールドストップIGBT4andエミッターコントロールHEdiode内蔵
62mmC-SeriesmodulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlledHEdiode
暫定データ/PreliminaryData
V
CES
= 1200V
I
C nom
= 200A / I
CRM
= 400A
一般応用
•
ハイパワーコンバータ
•
モーター駆動
•
UPSシステム
•
風力タービン
電気的特性
•
½スイッチング損失
•
優れたロバスト性
•
正温度特性を持ったV
CEsat
½和電圧
TypicalApplications
• Highpowerconverters
• Motordrives
• UPSsystems
• Windturbines
ElectricalFeatures
• Lowswitchinglosses
• Unbeatablerobustness
• V
CEsat
withpositivetemperaturecoefficient
機械的特性
MechanicalFeatures
•
CTI(比較トラッキング指数）>400のモジュールパッケージ
• PackagewithCTI>400
•
長い縁面/空間距離
• Highcreepageandclearancedistances
•
高いパワー密度
• Highpowerdensity
•
絶縁されたベースプレート
• Isolatedbaseplate
•
標準ハウジング
• Standardhousing
•
すでに塗布されたサーマルグリース
• Pre-appliedThermalInterfaceMaterial
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
ContentoftheCode
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
dateofpublication:2016-04-04
revision:V2.0
1
ULapproved(E83335)
Digit
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
DMX-Code
preparedby:AKB
approvedby:MK
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FF200R12KE4P
暫定データ
PreliminaryData
IGBT- インバータ/IGBT,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
T
vj
= 25°C
T
H
= 85°C, T
vj max
= 175°C
t
P
= 1 ms
V
CES
1200
200
400
+/-20
min.
typ.
1,75
2,00
2,05
5,20
5,80
1,80
3,8
14,0
0,50
5,0
400
0,20
0,25
0,27
0,045
0,05
0,055
0,50
0,60
0,62
0,10
0,16
0,18
10,0
15,0
17,0
17,0
26,0
29,0
800
max.
2,15
V
A
A
V
I
C nom
I
CRM
V
GES
電気的特性/CharacteristicValues
コレクタ・エミッタ間½和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
ゲート電荷量
Gatecharge
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
入力容量
Inputcapacitance
帰還容量
Reversetransfercapacitance
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
ターンオン遅れ時間（誘導負荷）
Turn-ondelaytime,inductiveload
ターンオン上昇時間（誘導負荷）
Risetime,inductiveload
ターンオフ遅れ時間（誘導負荷）
Turn-offdelaytime,inductiveload
ターンオフ下降時間（誘導負荷）
Falltime,inductiveload
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
短絡電流
SCdata
???
Thermalresistance,junctiontoheatsink
動½温度
Temperatureunderswitchingconditions
I
C
= 200 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 200 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 200 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 7,60 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V ... +15 V
T
vj
= 25°C
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
C
= 200 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 2,7
Ω
I
C
= 200 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 2,7
Ω
I
C
= 200 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 2,7
Ω
I
C
= 200 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 2,7
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
CE sat
V
GEth
Q
G
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
t
d on
V
V
V
V
µC
Ω
nF
nF
mA
nA
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
A
6,40
t
r
t
d off
t
f
I
C
= 200 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 30 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, di/dt = 4000 A/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Gon
= 2,7
Ω
T
vj
= 150°C
I
C
= 200 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 30 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, du/dt = 4000 V/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Goff
= 2,7
Ω
T
vj
= 150°C
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 800 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
t
P
≤
10 µs, T
vj
= 150°C
E
on
E
off
I
SC
R
thJH
T
vj op
-40
IGBT部（１素子½り）/perIGBT
validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial
0,162 K/W
150
°C
preparedby:AKB
approvedby:MK
dateofpublication:2016-04-04
revision:V2.0
2
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FF200R12KE4P
暫定データ
PreliminaryData
Diode、インバータ/Diode,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
電流二乗時間積
I²t-value
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
min.
1200
200
400
7800
7400
typ.
1,65
1,65
1,65
230
250
260
20,0
32,0
45,0
9,00
16,0
17,5
max.
2,15
V
A
A
A²s
A²s
電気的特性/CharacteristicValues
順電圧
Forwardvoltage
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
逆回復電荷量
Recoveredcharge
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
???
Thermalresistance,junctiontoheatsink
動½温度
Temperatureunderswitchingconditions
I
F
= 200 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 200 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 200 A, V
GE
= 0 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
F
V
V
V
A
A
A
µC
µC
µC
mJ
mJ
mJ
I
F
= 200 A, - di
F
/dt = 4000 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
I
F
= 200 A, - di
F
/dt = 4000 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
I
F
= 200 A, - di
F
/dt = 4000 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
/Diode（１素子½り）/perdiode
validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial
I
RM
Q
r
E
rec
R
thJH
T
vj op
-40
0,203 K/W
150
°C
preparedby:AKB
approvedby:MK
dateofpublication:2016-04-04
revision:V2.0
3
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FF200R12KE4P
暫定データ
PreliminaryData
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
CTI
/モジュール/permodule
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
min.
4,0
Cu
Al
2
O
3
29,0
23,0
23,0
11,0
> 400
typ.
0,01
20
0,70
-40
125
125
3,00
6,00
max.
K/W
nH
mΩ
°C
°C
Nm
kV
mm
mm
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
ベースプレート材質
Materialofmodulebaseplate
内部絶縁
Internalisolation
沿面距離
Creepagedistance
空間距離
Clearance
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip
保存温度
Storagetemperature
最大ベース・プレート動½温度
Maximumbaseplateoperationtemperature
取り付けネジ締め付けトルク
Mountingtorqueformodulmounting
主端子ネジ締め付けトルク
Terminalconnectiontorque
質量
Weight
Lagerung und Transport von Modulen mit TIM => AN2012-07
Storage and shipment of modules with TIM => AN2012-07
取り付けネジM6
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
取り付けネジM6
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
T
H
=25°C,/スイッチ/perswitch
R
thCH
L
sCE
R
CC'+EE'
T
stg
T
BPmax
M
M
G
2,5
-
340
5,0
Nm
g
preparedby:AKB
approvedby:MK
dateofpublication:2016-04-04
revision:V2.0
4
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FF200R12KE4P
暫定データ
PreliminaryData
出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
T
vj
=150°C
400
出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=15V
400
360
320
280
240
I
C
[A]
200
160
120
80
40
0
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
360
320
280
240
I
C
[A]
200
160
120
80
40
0
V
GE
= 19V
V
GE
= 17V
V
GE
= 15V
V
GE
= 13V
V
GE
= 11V
V
GE
= 9V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
V
CE
[V]
2,5
3,0
3,5
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
V
CE
[V]
3,5
4,0
4,5
5,0
伝達特性IGBT- インバータ(Typical)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
GE
)
V
CE
=20V
400
360
320
280
240
200
160
120
80
40
0
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(I
C
),E
off
=f(I
C
)
V
GE
=±15V,R
Gon
=2.7Ω,R
Goff
=2.7Ω,V
CE
=600V
60
55
50
45
40
35
E [mJ]
30
25
20
15
10
5
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 150°C
I
C
[A]
5
6
7
8
9
V
GE
[V]
10
11
12
13
0
0
40
80
120 160 200 240 280 320 360 400
I
C
[A]
preparedby:AKB
approvedby:MK
dateofpublication:2016-04-04
revision:V2.0
5
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