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MMBZ5258AWT/R7

产品描述Zener Diode, 36V V(Z), 2%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小213KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准  

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MMBZ5258AWT/R7概述

Zener Diode, 36V V(Z), 2%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

MMBZ5258AWT/R7规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.2 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压36 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差2%
Base Number Matches1

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MMBZ5229AW SERIES
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES
VOLTAGE
4.3 to 51 Volts
POWER
200 mWatts
FEATURES
• Planar Die construction
• 200mW Power Dissipation
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
0.054(1.35)
0.045(1.15)
0.087(2.20)
0.070(1.80)
0.004(0.10)MIN.
0.044(1.10)
0.035(0.90)
0.087(2.20)
0.078(2.00)
MECHANICAL DATA
• Case: SOT-323, Molded Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: See Diagram Below
• Approx. Weight: 0.0002 ounces, 0.005 grams
• Mounting Position: Any
0.056(1.40)
0.047(1.20)
0.006(0.15)
0.002(0.05)
0.004(0.10)MAX.
0.016(0.40)
0.008(0.20)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
Power Dissipation @T
A
=25
o
C(Note A)
Operating Junction Temperature and Storage Temperature Range
SYMBOL
P
D
T
J
VALUE
200
-55 to +150
UNITS
mW
O
C
SINGLE
3
NOTES:
A. Mounted on 5.0mm
2
(.013mm thick) land areas.
1
2
September 29,2011-REV.02
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