S72WS256NE0BAWB73,S72WS256NE0BAWB73 pdf中文资料,S72WS256NE0BAWB73引脚图,S72WS256NE0BAWB73电路-Datasheet-电子工程世界

S72WS256NE0BAWB73: 产品描述Memory Circuit, 16MX16, CMOS, PBGA137, 9 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-137; 产品类别存储存储; 文件大小5MB，共213页; 制造商SPANSION; 官网地址http://www.spansion.com/

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S72WS256NE0BAWB73概述

Memory Circuit, 16MX16, CMOS, PBGA137, 9 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-137

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA,
针数	137
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	MOBILE SDRAM IS ORGANIZED AS 4M X 16BIT X 4 BANKS; SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
JESD-30 代码	R-PBGA-B137
JESD-609代码	e0
长度	12 mm
内存密度	268435456 bit
内存集成电路类型	MEMORY CIRCUIT
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	137
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-25 °C
组织	16MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	9 mm
Base Number Matches	1

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