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SMCJ11A-3/7

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 11V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小293KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SMCJ11A-3/7概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 11V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB

SMCJ11A-3/7规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW INDUCTANCE
最大击穿电压13.5 V
最小击穿电压12.2 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AB
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压11 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层TIN LEAD
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

SMCJ11A-3/7相似产品对比

SMCJ11A-3/7 SMCJ78A-5410/7
描述 Trans Voltage Suppressor Diode, 11V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB Trans Voltage Suppressor Diode, 78V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB
包装说明 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 LOW INDUCTANCE LOW INDUCTANCE
最大击穿电压 13.5 V 95.8 V
最小击穿电压 12.2 V 86.7 V
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码 DO-214AB DO-214AB
JESD-30 代码 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性 UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 11 V 78 V
表面贴装 YES YES
技术 AVALANCHE AVALANCHE
端子形式 C BEND C BEND
端子位置 DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1
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