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HYS64T256020EU-3-B

产品描述DDR DRAM Module, 256MX72, 0.45ns, CMOS, GREEN, DIMM-240
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文件大小3MB,共60页
制造商QIMONDA
标准
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HYS64T256020EU-3-B概述

DDR DRAM Module, 256MX72, 0.45ns, CMOS, GREEN, DIMM-240

HYS64T256020EU-3-B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM240,40
针数240
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间0.45 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)333 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N240
内存密度19327352832 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度72
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量1
端子数量240
字数268435456 words
字数代码256000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度95 °C
最低工作温度
组织256MX72
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM240,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
自我刷新YES
最大待机电流0.192 A
最大压摆率1.936 mA
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式NO LEAD
端子节距1 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
Base Number Matches1

HYS64T256020EU-3-B相似产品对比

HYS64T256020EU-3-B HYS72T256020EU-3.7-B HYS72T256020EU-3-B HYS72T256020EU-3S-B HYS64T256020EU-3.7-B HYS64T256020EU-3S-B
描述 DDR DRAM Module, 256MX72, 0.45ns, CMOS, GREEN, DIMM-240 DDR DRAM Module, 256MX72, 0.5ns, CMOS, GREEN, DIMM-240 DDR DRAM Module, 256MX72, 0.45ns, CMOS, GREEN, DIMM-240 DDR DRAM Module, 256MX72, 0.45ns, CMOS, GREEN, DIMM-240 DDR DRAM Module, 256MX72, 0.5ns, CMOS, GREEN, DIMM-240 DDR DRAM Module, 256MX72, 0.45ns, CMOS, GREEN, DIMM-240
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM240,40 DIMM, DIMM240,40 DIMM, DIMM240,40 DIMM, DIMM240,40 DIMM, DIMM240,40 DIMM, DIMM240,40
针数 240 240 240 240 240 240
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.45 ns 0.5 ns 0.45 ns 0.45 ns 0.5 ns 0.45 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 333 MHz 266 MHz 333 MHz 333 MHz 266 MHz 333 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240
内存密度 19327352832 bit 19327352832 bit 19327352832 bit 19327352832 bit 19327352832 bit 19327352832 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE
内存宽度 72 72 72 72 72 72
湿度敏感等级 3 3 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 240 240 240 240 240 240
字数 268435456 words 268435456 words 268435456 words 268435456 words 268435456 words 268435456 words
字数代码 256000000 256000000 256000000 256000000 256000000 256000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 95 °C 95 °C 95 °C 95 °C 95 °C 95 °C
组织 256MX72 256MX72 256MX72 256MX72 256MX72 256MX72
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM240,40 DIMM240,40 DIMM240,40 DIMM240,40 DIMM240,40 DIMM240,40
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 260 260
电源 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192 8192 8192
自我刷新 YES YES YES YES YES YES
最大待机电流 0.192 A 0.216 A 0.216 A 0.22 A 0.192 A 0.192 A
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 40 40 40 40
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1
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