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HN58C65P-30

产品描述EEPROM, 8KX8, 300ns, Parallel, CMOS, PDIP28
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文件大小264KB,共14页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HN58C65P-30概述

EEPROM, 8KX8, 300ns, Parallel, CMOS, PDIP28

HN58C65P-30规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明DIP, DIP28,.6
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间300 ns
命令用户界面NO
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PDIP-T28
JESD-609代码e0
内存密度65536 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
页面大小32 words
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
切换位NO
Base Number Matches1

HN58C65P-30相似产品对比

HN58C65P-30 HN58C65FP-25T HN58C65P-20
描述 EEPROM, 8KX8, 300ns, Parallel, CMOS, PDIP28 EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, MO-059AD, SOP-28 EEPROM, 8KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDIP28
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
包装说明 DIP, DIP28,.6 SOP, FL28,.4 DIP, DIP28,.6
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
最长访问时间 300 ns 250 ns 200 ns
命令用户界面 NO NO NO
数据轮询 YES YES YES
JESD-30 代码 R-PDIP-T28 R-PDSO-G28 R-PDIP-T28
JESD-609代码 e0 e0 e0
内存密度 65536 bit 65536 bit 65536 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 8
端子数量 28 28 28
字数 8192 words 8192 words 8192 words
字数代码 8000 8000 8000
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 8KX8 8KX8 8KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP SOP DIP
封装等效代码 DIP28,.6 FL28,.4 DIP28,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE
页面大小 32 words 32 words 32 words
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
就绪/忙碌 YES YES YES
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
切换位 NO NO NO
Base Number Matches 1 1 1
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