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GS8182Q36BD-300M: 产品描述QDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165; 产品类别存储存储; 文件大小441KB，共35页; 制造商GSI Technology; 官网地址http://www.gsitechnology.com/

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GS8182Q36BD-300M概述

QDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165

GS8182Q36BD-300M规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	BGA
包装说明	LBGA,
针数	165
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B
最长访问时间	0.45 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码	R-PBGA-B165
长度	15 mm
内存密度	18874368 bit
内存集成电路类型	QDR SRAM
内存宽度	36
功能数量	1
端子数量	165
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	512KX36
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	13 mm
Base Number Matches	1

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GS8182Q08/09/18/36BD-300M

165-Bump BGA

Military Temp

Features

• Military Temperature Range

• Simultaneous Read and Write SigmaQuad™ Interface

• JEDEC-standard pinout and package

• Dual Double Data Rate interface

• Byte Write controls sampled at data-in time

• Burst of 2 Read and Write

• 1.8 V +100/–100 mV core power supply

• 1.5 V or 1.8 V HSTL Interface

• Pipelined read operation

• Fully coherent read and write pipelines

• ZQ pin for programmable output drive strength

• IEEE 1149.1 JTAG-compliant Boundary Scan

• Pin-compatible with 36Mb, 72Mb, and 144Mb devices

• 165-bump, 13 mm x 15 mm, 1 mm bump pitch BGA package

18Mb SigmaQuad-II

Burst of 2 SRAM

Clocking and Addressing Schemes

300 MHz

1.8 V V

1.8 V and 1.5 V I/O

The GS8182Q08/09/18/36BD-300M SigmaQuad-II SRAMs

are synchronous devices. They employ two input register

clock inputs, K and K. K and K are independent single-ended

clock inputs, not differential inputs to a single differential

clock input buffer. The device also allows the user to

manipulate the output register clock inputs quasi independently

with the C and C clock inputs. C and C are also independent

single-ended clock inputs, not differential inputs. If the C

clocks are tied high, the K clocks are routed internally to fire

the output registers instead.

Each internal read and write operation in a SigmaQuad-II B2

RAM is two times wider than the device I/O bus. An input data

bus de-multiplexer is used to accumulate incoming data before

it is simultaneously written to the memory array. An output

data multiplexer is used to capture the data produced from a

single memory array read and then route it to the appropriate

output drivers as needed. Therefore the address field of a

SigmaQuad-II B2 RAM is always one address pin less than the

advertised index depth (e.g., the 2M x 8 has a 1M addressable

index).

SigmaQuad™ Family Overview

The GS8182Q08/09/18/36BD-300M are built in compliance

with the SigmaQuad-II SRAM pinout standard for Separate

I/O synchronous SRAMs. They are 18,874,368-bit (18Mb)

SRAMs. The GS8182Q08/09/18/36BD-300M SigmaQuad

SRAMs are just one element in a family of low power, low

voltage HSTL I/O SRAMs designed to operate at the speeds

needed to implement economical high performance

networking systems.

Parameter Synopsis

-300M

tKHKH

tKHQV

3.3 ns

0.45 ns

Rev: 1.00a 11/2011

1/35

Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

GS8182Q36BD-300M相似产品对比

	GS8182Q36BD-300M	GS8182Q36BD-300MT	GS8182Q09BD-300MT	GS8182Q09BD-300M	GS8182Q18BD-300MT	GS8182Q18BD-300M	GS8182Q08BD-300M	GS8182Q08BD-300MT
描述	QDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	QDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	QDR SRAM, 2MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	QDR SRAM, 2MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	QDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	QDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	QDR SRAM, 2MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	QDR SRAM, 2MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	LBGA,	LBGA,	LBGA,	LBGA,	LBGA,	LBGA,	LBGA,	LBGA,
针数	165	165	165	165	165	165	165	165
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B
最长访问时间	0.45 ns	0.45 ns	0.45 ns	0.45 ns	0.45 ns	0.45 ns	0.45 ns	0.45 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165
长度	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm
内存密度	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	16777216 bit	16777216 bit
内存集成电路类型	QDR SRAM	QDR SRAM	QDR SRAM	QDR SRAM	QDR SRAM	QDR SRAM	QDR SRAM	QDR SRAM
内存宽度	36	36	9	9	18	18	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	165	165	165	165	165	165	165	165
字数	524288 words	524288 words	2097152 words	2097152 words	1048576 words	1048576 words	2097152 words	2097152 words
字数代码	512000	512000	2000000	2000000	1000000	1000000	2000000	2000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	512KX36	512KX36	2MX9	2MX9	1MX18	1MX18	2MX8	2MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
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宽度	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm
厂商名称	-	-	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology

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