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IS41LV8205B-60JL

产品描述Fast Page DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOJ-28
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文件大小127KB,共19页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
标准  
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IS41LV8205B-60JL概述

Fast Page DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOJ-28

IS41LV8205B-60JL规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ, SOJ28,.34
针数28
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J28
JESD-609代码e3
长度18.415 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ28,.34
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期2048
座面最大高度3.56 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

IS41LV8205B-60JL相似产品对比

IS41LV8205B-60JL IS41LV8205B-50JL IS41LV8205B-50J IS41LV8205B-60J
描述 Fast Page DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOJ-28 Fast Page DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOJ-28 Fast Page DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 Fast Page DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
是否无铅 不含铅 不含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 符合 不符合 不符合
零件包装代码 SOJ SOJ SOJ SOJ
包装说明 SOJ, SOJ28,.34 SOJ, SOJ28,.34 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
针数 28 28 28 28
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 60 ns 50 ns 50 ns 60 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28
JESD-609代码 e3 e3 e0 e0
长度 18.415 mm 18.415 mm 18.415 mm 18.415 mm
内存密度 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM
内存宽度 8 8 8 8
湿度敏感等级 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 28 28 28 28
字数 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words
字数代码 2000000 2000000 2000000 2000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 2MX8 2MX8 2MX8 2MX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ SOJ SOJ SOJ
封装等效代码 SOJ28,.34 SOJ28,.34 SOJ28,.34 SOJ28,.34
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 2048 2048 2048 2048
座面最大高度 3.56 mm 3.56 mm 3.56 mm 3.56 mm
自我刷新 NO NO NO NO
最大待机电流 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A
最大压摆率 0.14 mA 0.15 mA 0.15 mA 0.14 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND J BEND J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm
厂商名称 - Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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