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RN2606(TE85R)

产品描述TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SM6, 2-3N1A, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小187KB,共6页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN2606(TE85R)概述

TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SM6, 2-3N1A, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal

RN2606(TE85R)规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.1
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)80
JESD-30 代码R-PDSO-G6
元件数量2
端子数量6
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
Base Number Matches1
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