IC,DRAM,NON-MUXED ADDR,1KX1,MOS,DIP,18PIN,CERAMIC
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | DIP, DIP18,.3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| 最长访问时间 | 150 ns |
| I/O 类型 | SEPARATE |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T18 |
| 内存密度 | 1024 bit |
| 内存宽度 | 1 |
| 端子数量 | 18 |
| 字数 | 1024 words |
| 字数代码 | 1000 |
| 最高工作温度 | 55 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 1KX1 |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP18,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 32 |
| 最大压摆率 | 0.068 mA |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | MOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 |
| TMS1103-1JL | TMS1103-1NL | TMS1103JL | TMS1103NL | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | IC,DRAM,NON-MUXED ADDR,1KX1,MOS,DIP,18PIN,CERAMIC | IC,DRAM,NON-MUXED ADDR,1KX1,MOS,DIP,18PIN,PLASTIC | IC IC,DRAM,NON-MUXED ADDR,1KX1,MOS,DIP,18PIN,CERAMIC, Dynamic RAM | IC IC,DRAM,NON-MUXED ADDR,1KX1,MOS,DIP,18PIN,PLASTIC, Dynamic RAM |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | DIP, DIP18,.3 | DIP, DIP18,.3 | DIP, DIP18,.3 | DIP, DIP18,.3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
| 最长访问时间 | 150 ns | 150 ns | 300 ns | 300 ns |
| I/O 类型 | SEPARATE | SEPARATE | SEPARATE | SEPARATE |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T18 | R-PDIP-T18 | R-XDIP-T18 | R-PDIP-T18 |
| 内存密度 | 1024 bit | 1024 bit | 1024 bit | 1024 bit |
| 内存宽度 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 18 | 18 | 18 | 18 |
| 字数 | 1024 words | 1024 words | 1024 words | 1024 words |
| 字数代码 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 |
| 最高工作温度 | 55 °C | 55 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 1KX1 | 1KX1 | 1KX1 | 1KX1 |
| 封装主体材料 | CERAMIC | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | DIP | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP18,.3 | DIP18,.3 | DIP18,.3 | DIP18,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 32 | 32 | 32 | 32 |
| 最大压摆率 | 0.068 mA | 0.068 mA | 0.059 mA | 0.059 mA |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 技术 | MOS | MOS | MOS | MOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 |
模拟与混合信号
电源技术
无线连接
综合技术交流
嵌入式系统
单片机
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
