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IS42S16800-6TL

产品描述Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 MM INCH, LEAD FREE, TSOP2-54
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文件大小759KB,共61页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
标准  
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IS42S16800-6TL概述

Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 MM INCH, LEAD FREE, TSOP2-54

IS42S16800-6TL规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2, TSOP54,.46,32
针数54
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间5.4 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G54
JESD-609代码e3
长度22.22 mm
内存密度134217728 bi
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量1
端子数量54
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP54,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.002 A
最大压摆率0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度10.16 mm
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