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MR852-GT3

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小85KB,共3页
制造商SENSITRON
官网地址http://www.sensitron.com/
标准  
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MR852-GT3概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2

MR852-GT3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-201AD
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.1 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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SENSITRON
SEMICONDUCTOR
Data Sheet 2728, Rev. -

MR850-MR858
3.0A FAST RECOVERY RECTIFIER
Features
l
l
l
l
l
l
Glass Passivated Die Construction
Ideally Suited for Automatic Assembly
Low Forward Voltage Drop, High Efficiency
Low Power Loss
Fast Recovery Time
High Surge Current Capability
A
B
A



C
D
Mechanical Data
Case: Molded Plastic
Terminals: Solder Plated, Solderable
per MIL-STD-750, Method 2026
l
Polarity: Cathode Band or Cathode Notch
l
Marking: Type Number
l
  
Mounting

Position: Any
                            

 
l
Weight: 0.21 grams (approx.)
l
l
Dim
A
B
C
D
All
DO-201AD
Min Max
Min
25.4
8.50 9.50
1.20 1.30
5.0 5.60
In mm
Max
1.000
0.335 0.374
0.047 0.051
0.197 0.220
In inch
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
@T
L
= 75°C
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
t
rr
C
j
T
j,
T
STG
MR850



@T
A
=25°C unless otherwise specified

MR851 MR852
MR854
MR856 MR858
Unit
50
35
100
70
200
140
3.0
150
1.25
10
200
100
80
400
280
600
420
800
560
V
V
A
A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
8.3ms Single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
Forward Voltage
Peak Reverse Current
At Rated DC Blocking Voltage
Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Operating and Storage Temperature Range
@I
F
= 3.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
1.30
V
µA
150
nS
pF
°C
-65 to +150
Note: 1. Measured with I
F
= 0.5A, I
R
= 1.0A, I
rr
= 0.25A,
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 V DC.
221 West Industry Court
!
Deer Park, NY 11729-4681
!
(631) 586-7600 FAX (631) 242-9798
World Wide Web Site - http://www.sensitron.com
E-Mail Address - sales@sensitron.com
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