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FMA3015-000S3

产品描述Wide Band High Power Amplifier, 9000MHz Min, 10000MHz Max, 1 Func, GAAS, 4.52 X 3.04 MM, 0.10 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, BARE DIE PACKAGE-6
产品类别无线/射频/通信    射频和微波   
文件大小235KB,共4页
制造商Qorvo
官网地址https://www.qorvo.com
标准  
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FMA3015-000S3概述

Wide Band High Power Amplifier, 9000MHz Min, 10000MHz Max, 1 Func, GAAS, 4.52 X 3.04 MM, 0.10 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, BARE DIE PACKAGE-6

FMA3015-000S3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明DIE OR CHIP
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A001.B.2.B
特性阻抗50 Ω
构造MODULE
增益12 dB
最大输入功率 (CW)29 dBm
功能数量1
最大工作频率10000 MHz
最小工作频率9000 MHz
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装等效代码DIE OR CHIP
电源9 V
射频/微波设备类型WIDE BAND HIGH POWER
最大压摆率135 mA
技术GAAS
Base Number Matches1

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FMA3015
FMA3015
X-BAND 7.5W HIGH POWER AMPLIFIER G
A
A
S
MMIC
Package Style: Bare Die
Product Description
The FMA3015 is a high performance X-Band Gallium Arsenide monolithic amplifier.
It is suitable for use in communication, instrumentation and electronic warfare
applications. The die is fabricated using RFMD’s 0.5µm process.
Features
12dB Gain
7.5W Saturated Output Power
at 9V
pHEMT Technology
Applications
Optimum Technology
Matching® Applied
GaAs HBT
GaAs MESFET
InGaP HBT
SiGe BiCMOS
Si BiCMOS
SiGe HBT
GaAs pHEMT
Si CMOS
Si BJT
GaN HEMT
InP HBT
RF MEMS
LDMOS
VD1
VD2
Test Instrumentation
Electronic Warfare
Communication Infrastruc-
ture
RF OUT
RF IN
VG1
VG2
Parameter
Electrical Specifications
Gain
Input Return Loss
Output Return Loss
Reverse Isolation
Output Saturated Power
Drain Current
Min.
Specification
Typ.
>12
-10
-10
-40
38.7
Max.
Unit
dB
dB
dB
dB
dBm
Condition
T
AMBIENT
=25°C, Z
0
=50Ω
9GHz to 10GHz, V
D
=9V, V
G
=-0.5V
9GHz to 10GHz, V
D
=9V, V
G
=-0.5V
9GHz to 10GHz, V
D
=9V, V
G
=-0.5V
9GHz to 10GHz, V
D
=9V, V
G
=-0.5V
Drain voltage and input power pulsed at a prf of
1kHz, 5% duty cycle. V
D
=9V, V
G
=-0.5V, input
power=27dBm, frequency=9.5GHz
Drain voltage and input power pulsed at a prf of
1kHz, 5% duty cycle. V
D
=9V, V
G
=-0.5V, input
power=0dBm
80
135
mA
RF MICRO DEVICES®, RFMD®, Optimum Technology Matching®, Enabling Wireless Connectivity™, PowerStar®, POLARIS™ TOTAL RADIO™ and UltimateBlue™ are trademarks of RFMD, LLC. BLUETOOTH is a trade-
mark owned by Bluetooth SIG, Inc., U.S.A. and licensed for use by RFMD. All other trade names, trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. ©2006, RF Micro Devices, Inc.
Rev A1 DS090306
7628 Thorndike Road, Greensboro, NC 27409-9421 · For sales or technical
support, contact RFMD at (+1) 336-678-5570 or sales-support@rfmd.com.
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描述 Wide Band High Power Amplifier, 9000MHz Min, 10000MHz Max, 1 Func, GAAS, 4.52 X 3.04 MM, 0.10 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, BARE DIE PACKAGE-6 Wide Band High Power Amplifier, 9000MHz Min, 10000MHz Max, 1 Func, GAAS, 4.52 X 3.04 MM, 0.10 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, BARE DIE PACKAGE-6 Wide Band High Power Amplifier, 9000MHz Min, 10000MHz Max, 1 Func, GAAS, 4.52 X 3.04 MM, 0.10 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, BARE DIE PACKAGE-6
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
包装说明 DIE OR CHIP DIE OR CHIP DIE OR CHIP
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 3A001.B.2.B 3A001.B.2.B 3A001.B.2.B
特性阻抗 50 Ω 50 Ω 50 Ω
构造 MODULE MODULE MODULE
增益 12 dB 12 dB 12 dB
最大输入功率 (CW) 29 dBm 29 dBm 29 dBm
功能数量 1 1 1
最大工作频率 10000 MHz 10000 MHz 10000 MHz
最小工作频率 9000 MHz 9000 MHz 9000 MHz
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
封装等效代码 DIE OR CHIP DIE OR CHIP DIE OR CHIP
电源 9 V 9 V 9 V
射频/微波设备类型 WIDE BAND HIGH POWER WIDE BAND HIGH POWER WIDE BAND HIGH POWER
最大压摆率 135 mA 135 mA 135 mA
技术 GAAS GAAS GAAS
Base Number Matches 1 1 1
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