HB834
- 产品描述PNP SILICON TRANSISTOR
- 文件大小26KB，共2页
- 制造商ETC
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汕头华汕电子器件有限公司
PNP
SILICON
TRANSISTOR
对应½外型号
KSB834
HB834
█ 主要用途
½频功率放大，伴音帧输出及电源调整(与
HD880
互补)
█ 外½图及引脚排列
TO-220
█ 极限值
（T
a
=25℃）
T
stg
——贮存温度…………………………………
-55~150℃
T
j
——结温……………………………………………
150
℃
P
C
——集电极功率耗散（T
c
=25℃）………………………1.5W
P
C
——集电极功率耗散（T
a
=25℃）………………………30W
V
CBO
——集电极—基极电压……………………………
-60V
V
CEO
——集电极—发射极电压…………………………
-60V
V
EBO
——发射极—基极电压………………………………
-7V
I
C
——集电极电流…………………………………………
-3A
I
B
——基极电流……………………………………………
-0.5A
1—基
极，B
2—集电极，C
3—发射极，E
█ 电参数
（T
a
=25℃）
参数符号
I
CBO
I
EBO
BV
CEO
h
FE(1)
h
FE(2)
V
CE（sat）
V
BE(on)
f
T
C
ob
t
on
t
s
t
f
符
号
说
明
最小值
典型值
最大值
-100
-100
-60
60
20
-0.5
-0.7
9
150
0.4
1.7
0.5
-1
-1
V
V
MHz
pF
μs
μs
μs
-I
B1
=I
B2
=0.2A,
V
CC
=-30V
200
单 ½
μA
μA
V
测
试
条
件
集电极—基极截止电流
发射极—基极截止电流
集电极—发射极击穿电压
直流电流增益
直流电流增益
集电极—发射极饱和压降
基极—发射极导通电压
特征频率
共基极输出电容
导通时间
½½流子贮存时间
下降时间
V
CB
=-60V, I
E
=0
V
EB
=-7V, I
C
=0
I
C
=-50mA, I
B
=0
V
CE
=-5V, I
C
=-0.5A
V
CE
=-5V, I
C
=-3A
I
C
=-3A, I
B
=-0.3A
V
CE
=-5V, I
C
=-0.5A
V
CE
=-5V, I
C
=-0.5A
V
CB
=-10V,I
E
=0, f=1.0 MHz
█ 分档及其标志
O
60—120
Y
100—200
京公网安备 11010802033920号
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