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HAT2206C-EL-E

产品描述Silicon N Channel MOS FET Power Switching
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小76KB,共7页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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HAT2206C-EL-E概述

Silicon N Channel MOS FET Power Switching

HAT2206C-EL-E规格参数

参数名称属性值
Brand NameRenesas
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码CMFPAK
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数6
制造商包装代码PWSF0006JA-A6
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压12 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)2 A
最大漏极电流 (ID)2 A
最大漏源导通电阻0.17 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-F6
元件数量1
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.83 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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