256K 】 8 CMOS FLASH MEMORY
W39L020 | W39L020T-70 | W39L020Q-70 | |
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描述 | 256K 】 8 CMOS FLASH MEMORY | 256K 】 8 CMOS FLASH MEMORY | 256K 】 8 CMOS FLASH MEMORY |
是否Rohs认证 | - | 不符合 | 不符合 |
零件包装代码 | - | TSOP | TSOP |
包装说明 | - | 8 X 20 MM, TSOP-32 | 8 X 14 MM, STSOP-32 |
针数 | - | 32 | 32 |
Reach Compliance Code | - | _compli | _compli |
ECCN代码 | - | EAR99 | EAR99 |
最长访问时间 | - | 70 ns | 70 ns |
启动块 | - | BOTTOM/TOP | BOTTOM/TOP |
命令用户界面 | - | YES | YES |
数据轮询 | - | YES | YES |
耐久性 | - | 1000 Write/Erase Cycles | 1000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | - | R-PDSO-G32 | R-PDSO-G32 |
JESD-609代码 | - | e0 | e0 |
长度 | - | 18.4 mm | 12.4 mm |
内存密度 | - | 2097152 bi | 2097152 bi |
内存集成电路类型 | - | FLASH | FLASH |
内存宽度 | - | 8 | 8 |
功能数量 | - | 1 | 1 |
部门数/规模 | - | 4 | 4 |
端子数量 | - | 32 | 32 |
字数 | - | 262144 words | 262144 words |
字数代码 | - | 256000 | 256000 |
工作模式 | - | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | - | 70 °C | 70 °C |
组织 | - | 256KX8 | 256KX8 |
封装主体材料 | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | - | TSOP1 | TSSOP |
封装等效代码 | - | TSSOP32,.8,20 | TSSOP32,.56,20 |
封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | - | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
页面大小 | - | 4K words | 4K words |
并行/串行 | - | PARALLEL | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | - | 240 | 240 |
电源 | - | 3.3 V | 3.3 V |
编程电压 | - | 3.3 V | 3.3 V |
认证状态 | - | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | - | 1.2 mm | 1.2 mm |
部门规模 | - | 64K | 64K |
最大待机电流 | - | 0.00005 A | 0.00005 A |
最大压摆率 | - | 0.02 mA | 0.02 mA |
最大供电电压 (Vsup) | - | 3.6 V | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | - | 3 V | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | - | 3.3 V | 3.3 V |
表面贴装 | - | YES | YES |
技术 | - | CMOS | CMOS |
温度等级 | - | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子面层 | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | - | GULL WING | GULL WING |
端子节距 | - | 0.5 mm | 0.5 mm |
端子位置 | - | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | - | 30 | 30 |
切换位 | - | YES | YES |
类型 | - | NOR TYPE | NOR TYPE |
宽度 | - | 8 mm | 8 mm |
Base Number Matches | - | 1 | 1 |
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