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BR25L020FV-WE1

产品描述EEPROM Card, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8,
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文件大小233KB,共6页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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BR25L020FV-WE1概述

EEPROM Card, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8,

BR25L020FV-WE1规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明TSSOP, TSSOP8,.25
Reach Compliance Codecompliant
数据保留时间-最小值40
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e2
内存密度2048 bit
内存集成电路类型EEPROM CARD
内存宽度8
端子数量8
字数256 words
字数代码256
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256X8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2/5 V
编程电压2.7 V
认证状态Not Qualified
串行总线类型SPI
最大待机电流0.000002 A
最大压摆率0.003 mA
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式GULL WING
端子节距0.635 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
写保护HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches1

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BR25L020FV-WE1相似产品对比

BR25L020FV-WE1 BR25L020FJ-WE1
描述 EEPROM Card, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8, EEPROM Card, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 TSSOP, TSSOP8,.25 SOP, SOP8,.25
Reach Compliance Code compliant compliant
数据保留时间-最小值 40 40
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e2 e3
内存密度 2048 bit 2048 bit
内存集成电路类型 EEPROM CARD EEPROM CARD
内存宽度 8 8
端子数量 8 8
字数 256 words 256 words
字数代码 256 256
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 256X8 256X8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSSOP SOP
封装等效代码 TSSOP8,.25 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE
并行/串行 SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 225
电源 2/5 V 2/5 V
编程电压 2.7 V 2.7 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
串行总线类型 SPI SPI
最大待机电流 0.000002 A 0.000002 A
最大压摆率 0.003 mA 0.003 mA
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Copper (Sn/Cu) MATTE TIN
端子形式 GULL WING GULL WING
端子节距 0.635 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
写保护 HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches 1 1
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