Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HYS64T128021HDL-5-A

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HYS64T128021HDL-5-A: 产品描述DDR DRAM Module, 128MX64, 0.6ns, CMOS, PDMA200; 产品类别存储存储; 文件大小955KB，共39页; 制造商QIMONDA

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HYS64T128021HDL-5-A概述

DDR DRAM Module, 128MX64, 0.6ns, CMOS, PDMA200

HYS64T128021HDL-5-A规格参数

参数名称	属性值
包装说明	DIMM, DIMM200,24
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	0.6 ns
最大时钟频率 (fCLK)	200 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDMA-N200
内存密度	8589934592 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64
端子数量	200
字数	134217728 words
字数代码	128000000
最高工作温度	65 °C
最低工作温度
组织	128MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM200,24
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
最大待机电流	0.064 A
最大压摆率	1.072 mA
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.6 mm
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

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D a t a S h e e t , Rev. 1.0, Oct. 2004

HYS64T32000HDL–[3.7/5]–A

HYS64T64020HDL–[3.7/5]–A

HYS64T128021HDL–[3.7/5]–A

200-Pin SO-DIMM DDR2 SDRAM Modules

DDR2 SDRAM

RoHS Compliant

Memory Products

N e v e r

s t o p

t h i n k i n g .

HYS64T[32/64/128]0xxHDL–[3.7/5]–A

Small Outline DDR2 SDRAM Modules

Table of Contents

1.1

1.2

2.1

3.1

3.2

4.1

Overview

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Features . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

Pin Configuration

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Block Diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Test Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

On Die Termination (ODT) Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

Electrical Characteristics

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

Operating Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

SPD Codes

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

Package Outlines

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

Product Type Nomenclature (DDR2 DRAMs and DIMMs)

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Specifications and Conditions

Data Sheet

Rev. 1.0, 2004-10

09122003-FTXN-KM26

HYS64T128021HDL-5-A相似产品对比

	HYS64T128021HDL-5-A	HYS64T32000HDL-3.7-A	HYS64T128021HDL-3.7-A	HYS64T64020HDL-3.7-A	HYS64T64020HDL-5-A
描述	DDR DRAM Module, 128MX64, 0.6ns, CMOS, PDMA200	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.5ns, CMOS, PDMA200	DDR DRAM Module, 128MX64, 0.5ns, CMOS, PDMA200	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.5ns, CMOS, PDMA200	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.6ns, CMOS, PDMA200
包装说明	DIMM, DIMM200,24	DIMM, DIMM200,24	DIMM, DIMM200,24	DIMM, DIMM200,24	DIMM, DIMM200,24
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	0.6 ns	0.5 ns	0.5 ns	0.5 ns	0.6 ns
最大时钟频率 (fCLK)	200 MHz	267 MHz	267 MHz	267 MHz	200 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDMA-N200	R-PDMA-N200	R-PDMA-N200	R-PDMA-N200	R-PDMA-N200
内存密度	8589934592 bit	2147483648 bit	8589934592 bit	4294967296 bit	4294967296 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64	64	64	64	64
端子数量	200	200	200	200	200
字数	134217728 words	33554432 words	134217728 words	67108864 words	67108864 words
字数代码	128000000	32000000	128000000	64000000	64000000
最高工作温度	65 °C	65 °C	65 °C	65 °C	65 °C
组织	128MX64	32MX64	128MX64	64MX64	64MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM200,24	DIMM200,24	DIMM200,24	DIMM200,24	DIMM200,24
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192
最大压摆率	1.072 mA	0.88 mA	1.312 mA	0.9 mA	0.86 mA
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
最大待机电流	0.064 A	-	0.064 A	0.03 A	0.03 A
Base Number Matches	1	1	1	-	-

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