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HM67M1864CP-9

产品描述Cache SRAM, 64KX18, 9ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
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文件大小366KB,共12页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HM67M1864CP-9概述

Cache SRAM, 64KX18, 9ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52

HM67M1864CP-9规格参数

参数名称属性值
零件包装代码LCC
包装说明QCCJ,
针数52
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间9 ns
其他特性BURST COUNTER; SELF-TIMED WRITE CYCLE; BYTE WRITE CONTROL
JESD-30 代码S-PQCC-J52
长度19.1262 mm
内存密度1179648 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度18
功能数量1
端口数量1
端子数量52
字数65536 words
字数代码64000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX18
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.57 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
宽度19.1262 mm
Base Number Matches1

HM67M1864CP-9相似产品对比

HM67M1864CP-9 HM67M1864CP-12
描述 Cache SRAM, 64KX18, 9ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 Cache SRAM, 64KX18, 12ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
零件包装代码 LCC LCC
包装说明 QCCJ, QCCJ,
针数 52 52
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 9 ns 12 ns
其他特性 BURST COUNTER; SELF-TIMED WRITE CYCLE; BYTE WRITE CONTROL BURST COUNTER; SELF-TIMED WRITE CYCLE; BYTE WRITE CONTROL
JESD-30 代码 S-PQCC-J52 S-PQCC-J52
长度 19.1262 mm 19.1262 mm
内存密度 1179648 bit 1179648 bit
内存集成电路类型 CACHE SRAM CACHE SRAM
内存宽度 18 18
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 52 52
字数 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 64KX18 64KX18
输出特性 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 QCCJ QCCJ
封装形状 SQUARE SQUARE
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 4.57 mm 4.57 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 QUAD QUAD
宽度 19.1262 mm 19.1262 mm

 
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