HYB25D256800BT-7,HYB25D256800BT-7 pdf中文资料,HYB25D256800BT-7引脚图,HYB25D256800BT-7电路-Datasheet-电子工程世界

HYB25D256800BT-7: 产品描述DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66; 产品类别存储存储; 文件大小3MB，共83页; 制造商QIMONDA

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HYB25D256800BT-7概述

DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66

参数名称	属性值
包装说明	TSSOP, TSSOP66,.46
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	0.75 ns
最大时钟频率 (fCLK)	143 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G66
内存密度	268435456 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	8
端子数量	66
字数	33554432 words
字数代码	32000000
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	32MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装等效代码	TSSOP66,.46
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
连续突发长度	2,4,8
最大待机电流	0.008 A
最大压摆率	0.225 mA
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.635 mm
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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