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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> HRW26
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HRW26

产品描述10 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小14KB，共2页
制造商Hitachi （Renesas ）
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HRW26概述

10 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

HRW26规格参数

参数名称属性值
包装说明R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.55 V
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流70 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度125 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压40 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

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ADE-208-155B(Z)
HRW26
Silicon Schottky Barrier Diode
for High Frequency Rectifying
Rev. 2
Nov. 1994
Features
• Low forward voltage drop. (V
F
=0.55V max)
• High reverse voltage. (V
R
=40V max)
Pin Arrangement
1
2
3
Ordering Information
Type No.
HRW26
Laser Mark
HRW26
Package Code
TO-220AB
1
2
3
1 Anode
2 Cathode
3 Anode
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
*
Item
Repetitive peak reverse voltage
Average forward current
Non-Repetitive peak forward surge current
Symbol
V
RRM
I
o
**
I
FSM
***
T
j
T
stg
Value
40
10
70
125
-40 to +125
Unit
V
A
A
°C
°C
Junction temperature
Storage temperature
* Per one device
** Square wave, Duty (1/2), Tc=95°C, Sum of two devices
*** Half sine wave 10msec
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
*
Item
Forward voltage
Reverse current
* Per one device
Symbol
V
F
I
R
Min
—
—
Typ
—
—
Max
0.55
1.0
Unit
V
mA
Test Condition
I
F
= 4.0 A
V
R
= 40 V

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