NDT455N/S62Z概述

11.5A, 30V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261

NDT455N/S62Z规格参数

参数名称	属性值
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V
最大漏极电流 (ID)	11.5 A
最大漏源导通电阻	0.015 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-261
JESD-30 代码	R-PDSO-G4
元件数量	1
端子数量	4
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	1.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	40 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	150 ns
最大开启时间（吨）	50 ns
Base Number Matches	1

NDT455N/S62Z相似产品对比

	NDT455N/S62Z	NDT455N/D84Z	NDT455N/L99Z
描述	11.5A, 30V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261	11.5A, 30V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261	11.5A, 30V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V	30 V	30 V
最大漏极电流 (ID)	11.5 A	11.5 A	11.5 A
最大漏源导通电阻	0.015 Ω	0.015 Ω	0.015 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-261	TO-261	TO-261
JESD-30 代码	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4
元件数量	1	1	1
端子数量	4	4	4
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	1.1 W	1.1 W	1.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	40 A	40 A	40 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
最大关闭时间（toff）	150 ns	150 ns	150 ns
最大开启时间（吨）	50 ns	50 ns	50 ns
Base Number Matches	1	1	1

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