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FD200R65KF1-K

产品描述400 A, 6300 V, N-CHANNEL IGBT
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小117KB,共6页
制造商ETC
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FD200R65KF1-K在线购买

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FD200R65KF1-K概述

400 A, 6300 V, N-CHANNEL IGBT

400 A, 6300 V, N沟道 IGBT

FD200R65KF1-K规格参数

参数名称属性值
端子数量5
额定关断时间6500 ns
最大集电极电流400 A
最大集电极发射极电压6300 V
加工封装描述MODULE-5
状态TRANSFERRED
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸FLANGE MOUNT
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
包装材料UNSPECIFIED
结构SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
壳体连接ISOLATED
元件数量1
晶体管元件材料SILICON
通道类型N-CHANNEL
晶体管类型INSULATED GATE BIPOLAR
额定导通时间1120 ns

FD200R65KF1-K相似产品对比

FD200R65KF1-K 1SD210FI-FX200R65KF1 FZ200R65KF1
描述 400 A, 6300 V, N-CHANNEL IGBT 400 A, 6300 V, N-CHANNEL IGBT 400 A, 6300 V, N-CHANNEL IGBT
端子数量 5 5 5
额定关断时间 6500 ns 6500 ns 6500 ns
最大集电极电流 400 A 400 A 400 A
最大集电极发射极电压 6300 V 6300 V 6300 V
加工封装描述 MODULE-5 MODULE-5 MODULE-5
状态 TRANSFERRED TRANSFERRED TRANSFERRED
包装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
包装尺寸 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER UPPER
包装材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
结构 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
壳体连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
元件数量 1 1 1
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
通道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
晶体管类型 INSULATED GATE BIPOLAR INSULATED GATE BIPOLAR INSULATED GATE BIPOLAR
额定导通时间 1120 ns 1120 ns 1120 ns
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