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BZT55B10L0

产品描述Zener Diode, 10V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, LS34, QUADRO MINIMELF-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小123KB,共3页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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BZT55B10L0概述

Zener Diode, 10V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, LS34, QUADRO MINIMELF-2

BZT55B10L0规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明O-LELF-R2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗15 Ω
JEDEC-95代码DO-213AA
JESD-30 代码O-LELF-R2
JESD-609代码e3
膝阻抗最大值70 Ω
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压10 V
最大反向电流0.1 µA
反向测试电压7.5 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间30
最大电压容差2%
工作测试电流5 mA
Base Number Matches1
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