OSTAR
®
- Lighting IR 6-fold with Optics (850nm)
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 4750
Wesentliche Merkmale
•
•
•
•
•
•
3.5 W optische Leistung bei IF=1A
Aktive Chipfläche 2.1 x 3.2 mm
2
max. Gleichstrom 1 A
niedriger Wärmewiderstand (3 K/W)
Emissionswellenlänge 850 nm
ESD-sicher bis 2 kV nach JESD22-A114-B
Features
•
•
•
•
•
•
3.5 W optical power at IF=1A
Active chip area 2.1 x 3.2 mm
2
max. DC-current 1 A
Low thermal resistance (3 K/W)
Spectral emission at 850 nm
ESD save up to 2 kV acc. to JESD22-A114-B
Anwendungen
•
•
•
•
•
•
Infrarotbeleuchtung für Kameras
Überwachungssysteme
IR-Datenübertragung
Verkehrsüberwachungssysteme
Beleuchtung für Bilderkennungssysteme
Nicht für Anwendungen im Automobilbereich
Applications
•
•
•
•
•
•
Infrared Illumination for cameras
Surveillance systems
IR Data Transmission
Intelligent Transportation Systems
Machine vision systems
Not released for automotive applications
Sicherheitshinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-
Strahlung, die gefährlich für das menschliche
Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile
enthalten, müssen gemäß den Sicherheits-
richtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471
behandelt werden.
Safety Advices
Depending on the mode of operation, these
devices emit highly concentrated non visible
infrared light which can be hazardous to the
human eye. Products which incorporate these
devices have to follow the safety precautions
given in IEC 60825-1 and IEC 62471.
Typ
Type
SFH 4750
1)
Bestellnummer
Ordering Code
Q65110A8280
Strahlstärke
1)
(
I
F
= 1A,
t
p
= 20 ms)
Radiant intensity
1)
Ι
e
(mW/sr)
> 630 (typ. 1000)
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr / measured at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr.
2010-02-09
1
SFH 4750
Grenzwerte
T
B
1)
=
25
°C
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Sperrspannung
Reverse voltage
Vorwärtsgleichstrom
Forward current
Stoßstrom,
t
p
= 100 µs,
D
= 0
Surge current
Leistungsaufnahme,
Power consumption
Thermische Verlustleistung
Thermal power-dissipation
Wärmewiderstand Sperrschicht / Bodenplatte
Thermal resistance Junction / Base plate
1)
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40
…
+ 100
+ 145
0.5
1
5
12
9.8
3
Einheit
Unit
°C
°C
V
A
A
W
W
K/W
T
B, op
, T
B, stg
T
J
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
P
th
R
thJB
T
B
= Temperatur auf der Rückseite der Metallkernplatine / Temperature at the backside of the base plate.
Kennwerte
(
T
B
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 1 A,
t
p
= 10 ms
Schwerpunkts-Wellenlänge der Strahlung
Centroid wavelength
I
F
= 1 A,
t
p
= 10 ms
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
I
F
= 1 A,
t
p
= 10 ms
Abstrahlwinkel
Half angle
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
860
Einheit
Unit
nm
λ
centroid
850
nm
Δλ
30
nm
ϕ
±
70
Grad
deg.
2010-02-09
2
SFH 4750
Kennwerte
(
T
B
= 25
°C)
Characteristics
(cont’d)
Bezeichnung
Parameter
Abmessungen der aktiven Chipfläche
1)
Dimension of the active chip area
Schaltzeiten,
I
e
von 10% auf 90% und von 90%
auf 10%,
I
F
= 5 A,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
Ι
e
from 10% to 90% and from
90% to 10%,
I
F
= 5 A,
R
L
= 50
Ω
Durchlassspannung
Forward voltage
I
F
= 1 A,
t
p
= 100 µs
Gesamtstrahlungsfluss
Total radiant flux
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
μs
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
I
F
= 1 A,
t
p
= 10 ms
Temperaturkoeffizient von
V
F
Temperature coefficient of
V
F
I
F
= 1 A,
t
p
= 10 ms
Temperaturkoeffizient von
λ
Temperature coefficient of
λ
I
F
= 1 A,
t
p
= 10 ms
1)
Symbol
Symbol
Wert
Value
2.1
×
3.2
10, 10
Einheit
Unit
mm²
ns
L
×
B
L
×
W
t
r
,
t
f
V
F
Φ
e
9.5 (< 12)
V
3.5
W
TC
I
– 0.3
%/K
TC
V
–6
mV/K
TC
λ,centroid
+ 0.3
nm/K
Die aktive Chipfläche besteht aus 6 einzelnen Chips mit je 1 x 1 mm².
The active chip area consists of 6 single chips with 1 x 1 mm² each.
2010-02-09
3
SFH 4750
Relative spektrale Emission
Relative Spectral Emission
I
rel
=
f
(λ),
T
B
= 25
°C
100
OHF04132
Durchlassstrom
Forward Current
I
F
=
f
(
V
F
),
T
B
= 25
°C,
Single pulse,
t
p
= 100
μs
I
F
10
1
A
OHF04166
Relativer Gesamtstrahlungsfluss
Relative Total Radiant Flux
Φ
e
/Φ
e
(1A) =
f
(
I
F
),
T
B
= 25
°C,
Single pulse,
t
p
= 100
μs
10
1
OHF03848
I
rel
%
80
Φ
e
Φ
e
(1 A)
10
0
10
0
5
60
5
10
-1
5
40
10
-1
20
5
10
-2
5
0
700
10
-2
750
800
850
nm 950
5
7
9
11
13
V 15
10
-3 -2
10
5 10
-1
5 10
0
A 10
1
λ
V
F
I
F
Max. zulässiger Durchlassstrom
Max. Permissible Forward Current
I
F
=
f
(
T
B
),
R
thJB
= 3 K/W
1.2
A
1.0
OHF04168
Zulässige Impulsbelastbarkeit
Permissible Pulse Handling
Capability
I
F
=
f
(t
p
),
T
B
=
85
°C,
Duty cycle
D
= parameter
I
F
5.5
A
4.5
4.0
OHF04167
I
F
D
=
T
P
t
t
P
I
F
T
0.8
D
=
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.33
0.5
1
3.5
3.0
2.5
0.6
0.4
2.0
1.5
0.2
1.0
0.5
0
0
20
40
60
80
˚C 120
0
-5
10 10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
s 10
2
T
B
t
p
2010-02-09
5
京公网安备 11010802033920号
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