电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

4AK21

产品描述Silicon N-Channel Power MOS FET Array
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小33KB,共6页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
下载文档 详细参数 全文预览

4AK21概述

Silicon N-Channel Power MOS FET Array

4AK21规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T10
针数10
Reach Compliance Codeunknow
Is SamacsysN
最大漏极电流 (Abs) (ID)8 A
最大漏源导通电阻0.125 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSIP-T10
端子数量10
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)28 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 212  551  564  1109  1416 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved