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HN27V101ARR-25

产品描述128KX8 OTPROM, 250ns, PDSO32, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-32
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文件大小221KB,共11页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HN27V101ARR-25概述

128KX8 OTPROM, 250ns, PDSO32, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-32

HN27V101ARR-25规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2-R,
针数32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间250 ns
其他特性PAGE WRITE
JESD-30 代码R-PDSO-G32
长度20.95 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型OTP ROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2-R
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm
Base Number Matches1

HN27V101ARR-25相似产品对比

HN27V101ARR-25
描述 128KX8 OTPROM, 250ns, PDSO32, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-32
零件包装代码 TSOP2
包装说明 TSOP2-R,
针数 32
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
最长访问时间 250 ns
其他特性 PAGE WRITE
JESD-30 代码 R-PDSO-G32
长度 20.95 mm
内存密度 1048576 bit
内存集成电路类型 OTP ROM
内存宽度 8
功能数量 1
端子数量 32
字数 131072 words
字数代码 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C
组织 128KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2-R
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子形式 GULL WING
端子节距 1.27 mm
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