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MH4V7245DATJ-5

产品描述EDO DRAM Module, 4MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168
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文件大小726KB,共25页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
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MH4V7245DATJ-5概述

EDO DRAM Module, 4MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168

MH4V7245DATJ-5规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM168
针数168
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间50 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N168
内存密度301989888 bit
内存集成电路类型EDO DRAM MODULE
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量168
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX72
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM168
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
自我刷新NO
最大待机电流0.016 A
最大压摆率2.527 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

MH4V7245DATJ-5相似产品对比

MH4V7245DATJ-5 MH4V7245DATJ-7S MH4V7245DATJ-7 MH4V7245DATJ-6 MH4V7245DATJ-6S MH4V7245DATJ-5S
描述 EDO DRAM Module, 4MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168 EDO DRAM Module, 4MX72, 70ns, CMOS, DIMM-168 EDO DRAM Module, 4MX72, 70ns, CMOS, DIMM-168 EDO DRAM Module, 4MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168 EDO DRAM Module, 4MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168 EDO DRAM Module, 4MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168
针数 168 168 168 168 168 168
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 50 ns 70 ns 70 ns 60 ns 60 ns 50 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
内存密度 301989888 bit 301989888 bit 301989888 bit 301989888 bit 301989888 bit 301989888 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE
内存宽度 72 72 72 72 72 72
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 168 168 168 168 168 168
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX72 4MX72 4MX72 4MX72 4MX72 4MX72
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM168 DIMM168 DIMM168 DIMM168 DIMM168 DIMM168
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096 4096 4096 4096 4096
自我刷新 NO YES NO NO YES YES
最大待机电流 0.016 A 0.016 A 0.016 A 0.016 A 0.016 A 0.016 A
最大压摆率 2.527 mA 1.627 mA 1.627 mA 2.077 mA 2.077 mA 2.527 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
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