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SMOS44N80

产品描述Power MOSFETs
文件大小77KB,共2页
制造商SIRECTIFIER
官网地址http://www.sirectifier.com
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SMOS44N80概述

Power MOSFETs

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SMOS44N80
Power MOSFETs
S
D
Dimensions SOT-227(ISOTOP)
Dim.
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
Millimeter
Min.
Max.
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
37.80
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
3.30
0.780
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.20
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
4.57
0.830
Inches
Min.
Max.
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.489
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
0.130
19.81
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
0.180
21.08
S
G
L
M
N
O
P
Q
G=Gate, D=Drain,S=Source
R
S
T
U
V
W
Symbol
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
dv/dt
T
J
=25
o
C
to 150
o
C
Test Conditions
Maximum Ratings
800
800
±20
±30
44
176
44
64
Unit
V
T
J
=25
o
C
to 150
o
C;
R
GS
=1M
Continuous
Transient
T
C
=25
o
C; Chip capability
T
C
=25
o
C;
pulse width limited by T
JM
T
C
=25
o
C
T
C
=25
o
C
I
S
T
J
I
DM
; di/dt
100A/us; V
DD
V
DSS'
150
o
C;
R
G
=2
V
A
A
A
mJ
V/ns
5
P
D
T
J
T
JM
T
C
=25
o
C
700
-55...+150
150
W
o
C

 
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