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SGSF663

产品描述24A, 450V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小117KB,共4页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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SGSF663概述

24A, 450V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3

SGSF663规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codenot_compliant
其他特性HOLLOW-EMITTER
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)24 A
集电极-发射极最大电压450 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)5
JEDEC-95代码TO-3
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值250 W
最大功率耗散 (Abs)210 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)2800 ns
最大开启时间(吨)1700 ns
VCEsat-Max1.5 V
Base Number Matches1
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