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SGSF424

产品描述4A, 600V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小162KB,共5页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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SGSF424概述

4A, 600V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218

SGSF424规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
其他特性HOLLOW-EMITTER
最大集电极电流 (IC)4 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)5
JEDEC-95代码TO-218
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值80 W
最大功率耗散 (Abs)85 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)4850 ns
最大开启时间(吨)1000 ns
VCEsat-Max1.5 V
Base Number Matches1

SGSF424相似产品对比

SGSF424 SGSIF424
描述 4A, 600V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 TRANSISTOR,BJT,NPN,600V V(BR)CEO,4A I(C),TO-247VAR
是否Rohs认证 不符合 不符合
Reach Compliance Code compliant not_compliant
最大集电极电流 (IC) 4 A 4 A
配置 SINGLE Single
最小直流电流增益 (hFE) 5 5
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 85 W 39 W
表面贴装 NO NO
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