GE10020,GE10020 pdf中文资料,GE10020引脚图,GE10020电路-Datasheet-电子工程世界

GE10020: 产品描述60A, 200V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AE; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小239KB，共7页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/

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GE10020概述

60A, 200V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AE

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	60 A
基于收集器的最大容量	750 pF
集电极-发射极最大电压	200 V
配置	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	75
JEDEC-95代码	TO-204AE
JESD-30 代码	O-MBFM-P2
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN
功耗环境最大值	250 W
最大功率耗散 (Abs)	250 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	4000 ns
最大开启时间（吨）	1200 ns
VCEsat-Max	4 V
Base Number Matches	1

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器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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