电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

IRF523-009

产品描述Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 80V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小43KB,共1页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
下载文档 详细参数 全文预览

IRF523-009概述

Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 80V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IRF523-009规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压80 V
最大漏极电流 (ID)8 A
最大漏源导通电阻0.36 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)225
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)32 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
哥们刚做好的光控继电器
哥们刚做好的光控继电器,PROTEL99SE格式.晚上上照片....
西门 DIY/开源硬件专区
【转帖】一文读懂晶体生长和晶圆制备
晶圆是如何生长的?又是如何制备的呢?本文的主要内容有:沙子转变为半导体级硅的制备,再将其转变成晶体和晶圆,以及生产抛光晶圆要求的工艺步骤。这其中包括了用于制造操作晶圆的不同类型的描 ......
皇华Ameya360 模拟电子
CCS 6新建TMS320F2812工程,烧写到Flash,及从Flash移动到RAM执行程序
PDF中的内容为教程 zip压缩包为我自己新建的一个示例工程,CCS6中编译通过。建议先下载pdf跟着操作,最后有问题再查看zip中的内容。 249661249662 ...
东风唯笑 DSP 与 ARM 处理器
请问cosmic有没有类似keil的sbit这样的定义位操作的指令
请问cosmic有没有类似keil的sbit这样的定义位操作的指令...
joalin stm32/stm8
【我给xilinx资源中心做贡献】Spartan 3E板子的技术文档
Spartan 3E板子的技术文档...
wanghongyang FPGA/CPLD
二极管伏安特性曲线proteus仿真
使用proteus仿真二极管的伏安特性曲线 用到的元器件有直流信号源 接地端 二极管 电流表探针 DCSweep(DCSweep直流参数扫描) proteus里的图标仿真不能同时显示Y轴的正、负两轴(或许我不会 ......
eeboyok 模拟电子

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1208  1342  9  2228  2581  56  33  16  19  58 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved