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IRFS42N20DTRLPBF

产品描述Power Field-Effect Transistor, 42.6A I(D), 200V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小67KB,共6页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
标准  
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IRFS42N20DTRLPBF概述

Power Field-Effect Transistor, 42.6A I(D), 200V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3

IRFS42N20DTRLPBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)42.6 A
最大漏源导通电阻0.055 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)170 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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PD - 94114
PROVISIONAL
SMPS MOSFET
IRFB42N20D
IRFS42N20D
IRFSL42N20D
HEXFET
®
Power MOSFET
Applications
l
High frequency DC-DC converters
V
DSS
200V
R
DS(on)
max
0.055Ω
I
D
42.6A
Benefits
l
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
l
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C
OSS
to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
TO-220AB
l
Fully Characterized Avalanche Voltage
IRFB42N20D
and Current
D
2
Pak
IRFS42N20D
TO-262
IRFSL42N20D
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current

Power Dissipation
‡
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
ƒ
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw†
Max.
42.6
30
170
3.8
300
2
± 30
TBD
-55 to + 175
260 (1.6mm from case )
10 lbf•in (1.1N•m)
Units
A
W
W/°C
V
V/ns
°C
Typical SMPS Topologies
l
Telecom 48V input DC-DC Active Clamp Reset Forward Converter
Notes

through
‡
are on page 6
www.irf.com
1
03/05/01

IRFS42N20DTRLPBF相似产品对比

IRFS42N20DTRLPBF IRFS42N20DTRRPBF IRFS42N20DPBF IRFS42N20DTRL IRFS42N20DTRR
描述 Power Field-Effect Transistor, 42.6A I(D), 200V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3 Power Field-Effect Transistor, 42.6A I(D), 200V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3 Power Field-Effect Transistor, 42.6A I(D), 200V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3 Power Field-Effect Transistor, 42.6A I(D), 200V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3 Power Field-Effect Transistor, 42.6A I(D), 200V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 不符合 不符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V 200 V 200 V
最大漏极电流 (ID) 42.6 A 42.6 A 42.6 A 42.6 A 42.6 A
最大漏源导通电阻 0.055 Ω 0.055 Ω 0.055 Ω 0.055 Ω 0.055 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e3 e3 e0 e0
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 225 225
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 170 A 170 A 170 A 170 A 170 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES
端子面层 MATTE TIN OVER NICKEL MATTE TIN OVER NICKEL MATTE TIN OVER NICKEL TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 30 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
湿度敏感等级 1 1 1 - -
厂商名称 - - International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon )
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