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71WS256ND0BAWYJ2

产品描述Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA84, 12 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-84
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文件大小332KB,共13页
制造商SPANSION
官网地址http://www.spansion.com/
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71WS256ND0BAWYJ2概述

Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA84, 12 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-84

71WS256ND0BAWYJ2规格参数

参数名称属性值
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA,
针数84
Reach Compliance Codeunknown
JESD-30 代码R-PBGA-B84
长度12 mm
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度16
功能数量1
端子数量84
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
组织8MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度9 mm
Base Number Matches1

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S71WS-N
Stacked Multi-Chip Product (MCP)
1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write,
Burst-mode Flash Memory with CellularRAM
Data Sheet
S71WS-N Cover Sheet
Notice to Readers:
This document states the current technical specifications regarding the Spansion
product(s) described herein. Each product described herein may be designated as Advance Information,
Preliminary, or Full Production. See
Notice On Data Sheet Designations
for definitions.
Publication Number
S71WS-N_00
Revision
A
Amendment
7
Issue Date
April 4, 2008
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