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SIE01-09

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 900V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小124KB,共3页
制造商Fuji Electric Co Ltd
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SIE01-09概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 900V V(RRM), Silicon,

SIE01-09规格参数

参数名称属性值
包装说明O-MUPM-D1
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用POWER
外壳连接ANODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流350 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最大输出电流16 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压900 V
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
Base Number Matches1

SIE01-09相似产品对比

SIE01-09 ERE51-12
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 900V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 1200V V(RRM), Silicon,
包装说明 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
应用 POWER POWER
外壳连接 ANODE CATHODE
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流 350 A 350 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 1 1
最大输出电流 16 A 16 A
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 900 V 1200 V
表面贴装 NO NO
端子形式 SOLDER LUG SOLDER LUG
端子位置 UPPER UPPER
Base Number Matches 1 1
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