汕头华汕电子器件有限公司
PNP
SILICON
TRANSISTOR
对应½外型号
BD140
HSBD140
█ 主要用途
中功率线性开关
█ 外½图及引脚排列
█ 极限值
（T
a
=25℃）
T
stg
——贮存温度…………………………………
-55~150℃
T
j
——结温……………………………………………
150℃
P
C
——集电极功率耗散（T
c
=25℃）…………………… 12.5W
P
C
——集电极功率耗散（T
A
=25℃）………………………1.25W
V
CBO
——集电极—基极电压………………………………
-80V
V
CEO
——集电极—发射极电压……………………………
-80V
V
EBO
——发射极—基极电压…………………………………-5V
I
C
——集电极电流(Pulse)……………………………………
-3A
I
C
——集电极电流(DC)……………………………………
-1.5A
I
B
——基极电流……………………………………………
-0.5A
1―发射极，E
2―集电极，C
3―基
极，B
█ 电参数
（T
C
=25℃）
参数符号
I
CBO
I
EBO
*h
FE(1)
*h
FE(2)
*h
FE(3)
*V
CE(
sat
)
*V
BE(ON)
*V
CEO(SUS)
符
号
说
明
最小值
典型值
最大值
-0.1
-10
25
25
40
250
-0.5
-1.0
-80
V
V
V
单 ½
μA
μA
测
试
条
件
集电极—基极截止电流
发射极—基极截止电流
直流电流增益(1)
直流电流增益(2)
直流电流增益(3)
集电极—发射极饱和压降
基极—发射极电压
集电极—发射极维持电压
V
CB
=
-30V,
I
E
=0
V
EB
=
-5V,
I
C
=0
V
CE
=
-2V,
I
C
=
-5mA
V
CE
=
-2V,
I
C
=
-0.5A
V
CE
=
-2V,
I
C
=
-150mA
Ic= -500mA, I
B
= -50mA
Ic= -0.5A, V
CE
=
-2V
Ic= -30mA,I
B
=0
*Pulse Test: PW=350μS,Duty
Cycle=2% Pulsed
█h
FE(3)
分档及其标志
Cassification
6
40~100
10
63~160
16
100~250
h
FE(3)
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