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EVG31-050A

产品描述Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 5 Pin, M201, 5 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小149KB,共4页
制造商Fuji Electric Co Ltd
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EVG31-050A概述

Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 5 Pin, M201, 5 PIN

EVG31-050A规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, R-PUFM-X5
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)30 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置2 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PUFM-X5
元件数量2
端子数量5
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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