电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1N5818

产品描述1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小168KB,共3页
制造商Rectron Semiconductor
官网地址http://www.rectron.com/
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

1N5818在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
1N5818 - - 点击查看 点击购买

1N5818概述

1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL

1 A, 30 V, 硅, 信号二极管, DO-204AL

1N5818规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-41
包装说明ROHS COMPLIANT, PALSTIC PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.875 V
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流25 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)265
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
VOLTAGE RANGE 20 to 40 Volts CURRENT 1.0 Ampere
FEATURES
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
1N5817
THRU
1N5819
Low power loss, high efficiency
Low leakage
Low forward voltage
High current capability
High speed switching
High surge capabitity
High reliability
Case: Molded plastic
Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O
Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed
Mounting position: Any
Weight: 0.33 gram
DO-41
MECHANICAL DATA
.034 (0.9)
1.0 (25.4)
MIN.
.028 (0.7)
DIA.
.205 (5.2)
.166 (4.2)
.107 (2.7)
.080 (2.0)
DIA.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
1.0 (25.4)
MIN.
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS
(@ T
A
=25
O
C unless otherwise noted)
RATINGS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
.375” (9.5mm) lead length at T
L
=90
O
C
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Typical Thermal Resistance (Note 3)
Typical Junction Capacitance (Note 1)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(@T
A
=25
O
C unless otherwise noted)
CHARACTERISTICS
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.0A DC
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 3.1A DC
Maximum Average Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
@T
A
= 25 C
@T
A
= 100 C
o
o
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
qJA
R
qJL
C
J
T
J
T
STG
1N5817
20
14
20
1N5818
30
21
30
1.0
25
50
15
110
150
-55 to + 150
1N5819
40
28
40
UNITS
Volts
Volts
Volts
Amps
Amps
0
C/W
pF
0
0
C
C
SYMBOL
V
F
V
F
I
R
1N5817
.45
.75
1N5818
.55
0.875
0.2
10
1N5819
.60
0.90
UNITS
Volts
Volts
mAmps
mAmps
2006-12
NOTES : 1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts.
2. “Fully ROHS compliant”, “100% Sn plating (Pb-free)”.
3. Thermal Resistance : At 9.5mm lead lengths, PCB mounted.

1N5818相似产品对比

1N5818 1N5817 1N5819
描述 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL RECTIFIER DIODE,SCHOTTKY,20V V(RRM),DO-41 1 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
零件包装代码 DO-41 DO-41 DO-41
包装说明 ROHS COMPLIANT, PALSTIC PACKAGE-2 ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 O-PALF-W2
针数 2 2 2
Reach Compliance Code _compli not_compliant _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.875 V 0.75 V 0.9 V
JEDEC-95代码 DO-41 DO-41 DO-41
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
JESD-609代码 e3 e3 e3
最大非重复峰值正向电流 25 A 25 A 25 A
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 1 A 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) 265 265 265
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 30 V 20 V 40 V
表面贴装 NO NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1 1
厂商名称 - Rectron Semiconductor Rectron Semiconductor
系统移植的资料
求一些比较好的关于移植方向的资料。 有具体事例移植,并且对于流程思路介绍详细的。谢谢。...
范小川 嵌入式系统
EEWORLD大学堂----TI 高精度实验室 - 带宽
TI 高精度实验室 - 带宽:https://training.eeworld.com.cn/course/1942 您是否知道在计算运算放大器带宽时始终应该使用非反相增益?您知道带宽影响 Iq 的原因吗? 除了回答这些问题,我们 ......
hi5 聊聊、笑笑、闹闹
谁肯介绍一下svs模块
谁肯简单说两句svs模块..............是干什么的?..............
lcq_0016 微控制器 MCU
74系列芯片
19998 19999 20000 不错的资料大家看看啊 本帖最后由 zhangkai0215 于 2009-6-22 00:51 编辑 ]...
zhangkai0215 电子竞赛
海思K3上指南针硬件调试问题
请问谁在海思K3上调过雅马哈YAS525B这款指南针? 碰到无法正确校准通过问题。望各位不吝指教。...
王增 嵌入式系统
考考你的工程实践能力!设计室内路径记录仪
“RIGOL 杯电子系统设计大赛”的着眼点在于培养大学生的工程实践能力,让学生们从实际入手,掌握更多工作中需要的知识和技能。这些题目也欢迎有经验的大虾们集思广益,参与设计!RIGOL 电子系统 ......
EEWORLD社区 测试/测量

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2639  2018  1194  262  2108  54  41  25  6  43 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved